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高導熱氮化硅陶瓷基板
氮化硅陶瓷材質(zhì)，采用特殊的配方和工藝，每片基板均經(jīng)過2000°C高溫燒結(jié)，導熱系數(shù)>80W/(m*k)，已通過國際頭部企業(yè)質(zhì)量檢測，尺寸根據(jù)客戶需求定制化。
關(guān)鍵詞：
高導熱氮化硅陶瓷基板
所屬分類：
陶瓷基板
咨詢熱線：
高導熱氮化硅陶瓷基板
圖文詳情
氮化硅陶瓷材質(zhì)，采用特殊的配方和工藝，每片基板均經(jīng)過2000°C高溫燒結(jié)，導熱系數(shù)>80W/(m*k)，已通過國際頭部企業(yè)質(zhì)量檢測，尺寸根據(jù)客戶需求定制化。
產(chǎn)品特點：電絕緣、高導熱、低介電損耗、高強度，適用于發(fā)熱量大的第三代半導體器件如IGBT、MOSFET等，起到良好的散熱和封裝效果。
應用領(lǐng)域包括：新能源汽車，混合動力汽車，高鐵，電機驅(qū)動模塊，新能源充電樁等。
| 項目Test lteme | 單位Unit | SN65 | SN80 | SN90 |
| 顏色 Color |
- | 灰色 | 灰色 | 灰色 |
| 密度 Density |
g/cm3 | ≥3.2 | ≥3.2 | ≥3.2 |
| 粗糙度 Roughness |
μm | 0.2-0.6 | 0.2-0.6 | 0.2-0.6 |
| 抗彎強度 Bending strength |
MPa | ≥650 | ≥700 | ≥700 |
| 翹曲度 Warping Degree |
‰ | ≤3 | ≤3 | ≤3 |
| 熱導率 Thermal Conductivity |
W/(m·K) | ≥65 | ≥80 | ≥90 |
| 熱膨脹系數(shù) Thermal Expansivity |
10-6/k@200-400℃ | 2.5-2.8 | 2.5-2.8 | 2.5-2.8 |
| 絕緣耐壓 Insulation and Voltage resistance |
kv/mm | ＞20 | ＞20 | ＞20 |
| 體積電阻 Volume Resistance |
Ω·cm | ≥1014 | ≥1014 | ≥1014 |
| 介電常數(shù) Dielectric Constant |
RT,1MHz | 7-9 | 7-9 | 7-9 |
| 介電損耗 Dielectric Loss |
RT,1MHz | ＜0.001 | ＜0.001 | ＜0.001 |
| 楊氏模量 Young's Modulus |
GPa | 300±30 | 300±30 | 300±30 |
| 維氏硬度 Vickers Hardness |
GPa | ＞14 | ＞14 | ＞14 |
| 斷裂韌性 Breaking Tenacity |
MPa·m1/2 | ≥6.5 | ≥6.5 | ≥6.5 |
| 產(chǎn)品尺寸 Product Dimensions |
厚度Thickness | 長*寬Length*Width | ||
| 0.25±0.03mm | 0.32±0.03mm | 114.3（±0.1）mm*114.3（±0.1）mm | ||
| 0.635±0.05mm | 1±0.05mm | 190.5（±0.1）mm*138（±0.1）mm | ||
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